Il processo RIE (Reactive Ion Etching) è un processo di incisione a secco utilizzato principalmente nella produzione di elettronica e microelettronica per la pulizia o l'attivazione rapida delle superfici, per l'incenerimento di fotoresistenze o per la strutturazione di circuiti su wafer di semiconduttori.

A tale scopo viene generalmente utilizzato un cosiddetto reattore a piastra planare, come mostrato schematicamente nella Figura 1. Se agli elettrodi viene applicata una tensione alternata ad alta frequenza a una pressione negativa compresa tra 10-2 e 10-1 mbar, si accende una scarica di gas a bassa pressione (plasma). A causa della diversa mobilità delle particelle di gas cariche nel plasma (ioni pesanti, elettroni leggeri), sull'elettrodo più piccolo si forma un potenziale negativo, il cosiddetto potenziale di auto-bilanciamento. Questo potenziale è compreso tra alcuni 10 e alcuni 100 volt.

Sui substrati (wafer, circuiti stampati, ecc.) che si trovano sull'elettrodo più piccolo, quando si utilizzano i gas di processo corretti, si verificano due effetti:

1. Rimozione chimica della superficie del substrato o delle impurità esistenti attraverso la reazione con le particelle reattive del plasma (incisione al plasma)
2. Rimozione fisica attraverso il trasferimento diretto della quantità di moto degli ioni accelerati nel campo elettrico verso la superficie (sputter etching)

Il processo RIE combina i vantaggi di entrambi gli effetti: alta selettività, alta velocità di incisione e rimozione anisotropa.